VCSEL外延晶圆

VCSEL外延晶圆 VIGO提供常见波长的VCSEL外延，例如850nm，940nm，1550nm；也可提供结构定制。可提供外延整片或者DIE；无论是处于产品设计的概念阶段，需要对现有产品进行创新升级，还是寻求开箱即用的解决方案。 我们都可以为客户提供研发项目的技术支持，并提出新的方法和途径来生产符合客户要求的外延结构。

850 nm VCSEL 外延结构具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低阈值电流和适当的光谱特性，适用于电信和光通信应用。

VCSEL外延晶圆主要特点

厚度公差与规格<0.01%

载体浓度公差 <+/-10%

标准波长公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm（不包括5mm边环）

芯片的显微镜图像：

芯片尺寸：

VCSEL外延晶圆产品性能

VCSEL，切割前的裸片，T=20 | 当前孔径Φ=~4μm

电光特性：

绝对最大额定值：

温度：储存（-40℃至120℃），工作（-20℃至110℃）

电气：反向电压（5V）CW电流（10mA），脉冲电流（7mA）

FP-DIP的波长分布

MQW的光致发光扫描

SIMS-二次离子质谱

Si和C掺杂剂的分布。 DBR 和 QW 中的可见 Al(x)Ga(1-x)As 层/有源区中的势垒

光谱特性

电光特性

产品应用

面向光通信、3D视觉、人脸识别、原子钟、磁强计、激光雷达、医疗医美、AR/VR等等行业厂商的VCSEL外延需求。

更多详情：
http://www.uniqueray.com.cn/SonList-2457415.html
https://www.chem17.com/st423982/product_37822287.html